K4B1G1646G-BYH9
Samsung ElectronicsDescription: | DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA |
Date d'introduction: | Apr 21, 2016 |
Mis à jour:+90 jours | |
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Version en ligne:https://www.datasheets.com/fr/part-details/k4b1g1646g-byh9-samsung-electronics-414099148
Aperçu
Familiarisez-vous avec les informations générales fondamentales, les propriétés et les caractéristiques du composant, ainsi que sa conformité aux normes et réglementations de l'industrie.
Cycle de viePremium
EAR99
Automobile No
Code CAGE du fournisseur1542F
8542320032
SCHEDULE B8542320015
PPAP No
Qualifié AEC No
Chemin de catégorie
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Fiche technique
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