IXZ210N50L

IXZ210N50L

Littelfuse

Description:

Trans RF MOSFET N-CH 500V 10A 6-Pin

Date d'introduction:

Apr 25, 2007

Mis à jour:+90 jours

Aperçu

Familiarisez-vous avec les informations générales fondamentales, les propriétés et les caractéristiques du composant, ainsi que sa conformité aux normes et réglementations de l'industrie.

Cycle de viePremium
UE RoHS Yes
Version RoHS2011/65/EU, 2015/863
Chemin de catégorie
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs

Fiche technique

Obtenez une compréhension approfondie du composant électronique en téléchargeant sa fiche technique. Ce document PDF comprend tous les détails nécessaires, tels qu'un aperçu du produit, les fonctionnalités, les spécifications, les notes, les schémas, les applications, et plus encore.

Aperçu de la fiche technique

(Latest Version)

Fabrication

Les informations de fabrication précisent les exigences techniques et les spécifications pour la production et l'assemblage du composant. Ces informations sont cruciales pour que les fabricants maintiennent la qualité et la fiabilité des composants, et s'assurent qu'ils sont compatibles avec d'autres appareils et composants.

Reflow Temp. Source
Wave Temp. Source

Paramétrique

Les informations paramétriques affichent les caractéristiques essentielles et les mesures de performance du composant, ce qui aide les ingénieurs et les responsables de la chaîne d'approvisionnement à comparer et choisir le composant électronique le plus approprié pour leurs applications et besoins.

gamme de produits
Supplier Temperature Grade
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Typical Gate Threshold Voltage
Breakdown Voltage Type
Minimum Gate Threshold Voltage
Type
Typical Power 1dB Compression
Material
Typical Forward Transconductance
Typical Output Capacitance @ Vds
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Types of Output Stages
Typical Power Gain @ Vds
Maximum VSWR
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Process Technology
Maximum Gate Source Leakage Current
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Duty Cycle
Typical Turn-On Delay Time
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Drain Efficiency
Maximum Noise Figure
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Channel Type
Configuration
Channel Mode
Number of Elements per Chip
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Minimum Frequency
Maximum Frequency
Maximum Power Dissipation
Mode of Operation
Typical Power Gain
Output Power
Maximum IDSS
Typical Input Capacitance @ Vds
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Équivalences

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