Description: | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
Pays d'origine: | India |
Date d'introduction: | Jan 15, 2002 |
Mis à jour:01-JAN-2025 | |
Version en ligne:https://www.datasheets.com/fr/part-details/bc547b-continental-device-india-limited-54384334
Aperçu
Familiarisez-vous avec les informations générales fondamentales, les propriétés et les caractéristiques du composant, ainsi que sa conformité aux normes et réglementations de l'industrie.
Cycle de viePremium
UE RoHS Yes
Version RoHS2011/65/EU, 2015/863
Automobile No
Code CAGE du fournisseur1849Y
PPAP No
Qualifié AEC No
Chemin de catégorie
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Fiche technique
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