2N3771

2N3771

onsemi

Description:

Trans GP BJT NPN 40V 30A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

Pays d'origine:

Mexico

Date d'introduction:

Aug 31, 1995

Mis à jour:05-DEC-2024

Aperçu

Familiarisez-vous avec les informations générales fondamentales, les propriétés et les caractéristiques du composant, ainsi que sa conformité aux normes et réglementations de l'industrie.

Cycle de viePremium
UE RoHS No
Version RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automobile No
Code CAGE du fournisseur1MQ07
8541290095
SCHEDULE B8541290080
PPAP No
Qualifié AEC No
Chemin de catégorie
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT

Fiche technique

Obtenez une compréhension approfondie du composant électronique en téléchargeant sa fiche technique. Ce document PDF comprend tous les détails nécessaires, tels qu'un aperçu du produit, les fonctionnalités, les spécifications, les notes, les schémas, les applications, et plus encore.

Aperçu de la fiche technique

(Latest Version)

Fabrication

Les informations de fabrication précisent les exigences techniques et les spécifications pour la production et l'assemblage du composant. Ces informations sont cruciales pour que les fabricants maintiennent la qualité et la fiabilité des composants, et s'assurent qu'ils sont compatibles avec d'autres appareils et composants.

Wave Temp. Source

Paramétrique

Les informations paramétriques affichent les caractéristiques essentielles et les mesures de performance du composant, ce qui aide les ingénieurs et les responsables de la chaîne d'approvisionnement à comparer et choisir le composant électronique le plus approprié pour leurs applications et besoins.

gamme de produits
Maximum Offset Voltage
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Typical Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Process Technology
Maximum Diode Forward Voltage
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Output Power
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Maximum Turn-On Time
Maximum Storage Time
Maximum Fall Time
Maximum Turn-Off Time
Maximum Noise Figure
Maximum Delay Time
Maximum Rise Time
Type
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Material
Minimum DC Current Gain
Maximum Transition Frequency
Catégorie
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Équivalences

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