2N3442
Solitron Devices IncDescription: | Bipolar Power Transistors |
Pays d'origine: | United States of America |
Date d'introduction: | Aug 29, 2017 |
Mis à jour:+90 jours | |
Voir plus GP BJT par Solitron Devices Inc | |
Version en ligne:https://www.datasheets.com/fr/part-details/2n3442-solitron-devices-inc-90493520
Aperçu
Familiarisez-vous avec les informations générales fondamentales, les propriétés et les caractéristiques du composant, ainsi que sa conformité aux normes et réglementations de l'industrie.
Cycle de viePremium
UE RoHS Unknown
Version RoHS2011/65/EU
Chemin de catégorie
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
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Fiche technique
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