P2N2222AG

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onsemi

Descripción:

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box

País de Origen:

Thailand

Fecha de introducción:

Mar 13, 2001

Actualizado:+90 días

Resumen

Familiarícese con la información general fundamental, propiedades y características del componente, junto con su cumplimiento de los estándares y regulaciones de la industria.

Ciclo de VidaPremium
UE RoHS Yes
Versión RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automotriz No
Código CAGE del Proveedor1MQ07
8541210075
SCHEDULE B8541210080
PPAP No
Calificado por AEC No
Ruta de la taxonomía
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT

Hoja de datos

Obtenga una comprensión integral del componente electrónico descargando su hoja de datos. Este documento PDF incluye todos los detalles necesarios, como una descripción general del producto, características, especificaciones, calificaciones, diagramas, aplicaciones y más.

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