NSBC114EDXV6T1G

NSBC114EDXV6T1G

onsemi

Descripción:

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R

País de Origen:

China

Fecha de introducción:

Mar 13, 2003

Actualizado:10-DEC-2024

Resumen

Familiarícese con la información general fundamental, propiedades y características del componente, junto con su cumplimiento de los estándares y regulaciones de la industria.

Ciclo de VidaPremium
UE RoHS Yes
Versión RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automotriz No
Código CAGE del Proveedor1MQ07
SCHEDULE B8541210080
PPAP No
Calificado por AEC No
Ruta de la taxonomía
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased

Hoja de datos

Obtenga una comprensión integral del componente electrónico descargando su hoja de datos. Este documento PDF incluye todos los detalles necesarios, como una descripción general del producto, características, especificaciones, calificaciones, diagramas, aplicaciones y más.

Vista previa de la hoja de datos

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Fabricación

La información de fabricación especifica los requisitos técnicos y las especificaciones para producir y ensamblar el componente. Esta información es crucial para que los fabricantes mantengan la calidad y confiabilidad de los componentes y se aseguren de que sean compatibles con otros dispositivos y componentes.

Reflow Temp. Source

Paramétrico

La información paramétrica muestra características vitales y métricas de rendimiento del componente, lo que ayuda a los ingenieros y gerentes de la cadena de suministro a comparar y elegir el componente electrónico más adecuado para sus aplicaciones y necesidades.

línea de producto
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Maximum Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Number of Elements per Chip
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Typical Base Emitter Resistor
Typical Current Gain Bandwidth
Operating Junction Temperature
Tipo
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Typical Input Resistor
Typical Resistor Ratio
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Cruces

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