MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR
Micron TechnologyDescripción: | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R |
Fecha de introducción: | May 10, 2022 |
Actualizado:13-NOV-2024 | |
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Versión en línea:https://www.datasheets.com/es/part-details/mt53e512m32d1zw-046-wt-b-tr-micron-technology-1851656290
Resumen
Familiarícese con la información general fundamental, propiedades y características del componente, junto con su cumplimiento de los estándares y regulaciones de la industria.
Ciclo de VidaPremium
UE RoHS Yes
Versión RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automotriz No
Código CAGE del Proveedor6Y440
PPAP No
Calificado por AEC No
Ruta de la taxonomía
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Paramétrico
La información paramétrica muestra características vitales y métricas de rendimiento del componente, lo que ayuda a los ingenieros y gerentes de la cadena de suministro a comparar y elegir el componente electrónico más adecuado para sus aplicaciones y necesidades.
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línea de producto
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Tipo
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits