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K4T51083QQ-BCE7

K4T51083QQ-BCE7

Samsung Electronics

Descripción:

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V

Fecha de introducción:

Feb 25, 2014

Actualizado:+90 días

Ver más DRAM Chip por Samsung Electronics
Especificaciones de la pieza

Resumen

Familiarícese con la información general fundamental, propiedades y características del componente, junto con su cumplimiento de los estándares y regulaciones de la industria.

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Hoja de datos

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Paramétrico

La información paramétrica muestra características vitales y métricas de rendimiento del componente, lo que ayuda a los ingenieros y gerentes de la cadena de suministro a comparar y elegir el componente electrónico más adecuado para sus aplicaciones y necesidades.

línea de producto
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Tipo
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits

Cruces

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