K4B4G1646B-HYH9
Samsung ElectronicsDescripción: | DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 79-Pin FBGA |
País de Origen: | Korea (Republic of) |
Fecha de introducción: | Dec 17, 2009 |
Actualizado:+90 días | |
Versión en línea:https://www.datasheets.com/es/part-details/k4b4g1646b-hyh9-samsung-electronics-73793104
Resumen
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