FP50R12KT4BOSA1

Descripción:

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 23-Pin ECONO2-4 Tray

País de Origen:

Austria

Fecha de introducción:

Nov 23, 2007

Actualizado:15-NOV-2024

Resumen

Familiarícese con la información general fundamental, propiedades y características del componente, junto con su cumplimiento de los estándares y regulaciones de la industria.

Ciclo de VidaPremium
UE RoHSYes with Exemption
Versión RoHS2011/65/EU, 2015/863
Ruta de la taxonomía
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules

Hoja de datos

Obtenga una comprensión integral del componente electrónico descargando su hoja de datos. Este documento PDF incluye todos los detalles necesarios, como una descripción general del producto, características, especificaciones, calificaciones, diagramas, aplicaciones y más.

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Paramétrico

La información paramétrica muestra características vitales y métricas de rendimiento del componente, lo que ayuda a los ingenieros y gerentes de la cadena de suministro a comparar y elegir el componente electrónico más adecuado para sus aplicaciones y necesidades.

línea de producto
Maximum Junction Temperature
Process Technology
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Maximum Storage Temperature
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Leakage Current
Tradename
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Cruces

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