ZTX851STZ
Diodes IncorporatedDescripción: | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1200mW 3-Pin E-Line Box |
País de Origen: | China |
Fecha de introducción: | Oct 29, 1997 |
Actualizado:11-OCT-2024 | |
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Versión en línea:https://www.datasheets.com/es/part-details/ztx851stz-diodes-incorporated-35062057
Resumen
Familiarícese con la información general fundamental, propiedades y características del componente, junto con su cumplimiento de los estándares y regulaciones de la industria.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Hoja de datos
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(Latest Versión)Paquete
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Fabricación
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La información paramétrica muestra características vitales y métricas de rendimiento del componente, lo que ayuda a los ingenieros y gerentes de la cadena de suministro a comparar y elegir el componente electrónico más adecuado para sus aplicaciones y necesidades.
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