2N7002HG
Lision Technology Inc| Descripción: | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
Actualizado: 05-DEC-2024 | |
Versión en línea:https://www.datasheets.com/es/part-details/2n7002hg-lision-technology-inc-70463162
Resumen
Familiarícese con la información general fundamental, propiedades y características del componente, junto con su cumplimiento de los estándares y regulaciones de la industria.
Ciclo de VidaPremium
UE RoHS Desconocido
Versión RoHS2002/95/EC
Automotriz Desconocido
Código CAGE del ProveedorCage Code Not Available
Calificado por AEC Desconocido
Ruta de la taxonomía
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
Fabricación
La información de fabricación especifica los requisitos técnicos y las especificaciones para producir y ensamblar el componente. Esta información es crucial para que los fabricantes mantengan la calidad y confiabilidad de los componentes y se aseguren de que sean compatibles con otros dispositivos y componentes.
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Reflow Temp. Source
Wave Temp. Source
Lead Finish(Plating)
Terminal Base Material