Datasheets
2N3866J

2N3866J

Semicoa Semiconductors

Descripción:

RF Epitaxial Bipolar Transistor

País de Origen:

United States of America

Fecha de introducción:

Jun 22, 1999

Actualizado:29-OCT-2024

Ver más RF BJT por Semicoa Semiconductors
Especificaciones de la pieza

Resumen

Familiarícese con la información general fundamental, propiedades y características del componente, junto con su cumplimiento de los estándares y regulaciones de la industria.

Ciclo de VidaPremium
UE RoHS No
Versión RoHS2011/65/EU, 2015/863
Ruta de la taxonomía
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT

Hoja de datos

Obtenga una comprensión integral del componente electrónico descargando su hoja de datos. Este documento PDF incluye todos los detalles necesarios, como una descripción general del producto, características, especificaciones, calificaciones, diagramas, aplicaciones y más.

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Paramétrico

La información paramétrica muestra características vitales y métricas de rendimiento del componente, lo que ayuda a los ingenieros y gerentes de la cadena de suministro a comparar y elegir el componente electrónico más adecuado para sus aplicaciones y necesidades.

línea de producto
Maximum Turn-Off Time
Maximum Rise Time
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum DC Collector Current Range
Collector Current for VCE Saturation
Typical Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Process Technology
Maximum Collector-Emitter Voltage Range
Maximum Collector Cut-Off Current
Typical Collector Efficiency
Tradename
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Tipo
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Minimum DC Current Gain
Minimum DC Current Gain Range
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Transition Frequency
Maximum Turn-On Time
Maximum Noise Figure
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Output Power
Maximum Power 1dB Compression
Operational Bias Conditions
Typical Power Gain
Maximum 3rd Order Intercept Point
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Material

Cruces

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