Datasheets
2N2907A

2N2907A

MICRO ELECTRONICS LTD

Descripción:

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18

Fecha de introducción:

Apr 23, 2006

Actualizado:27-NOV-2024

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Diseños de referencia
Especificaciones de la pieza

Resumen

Familiarícese con la información general fundamental, propiedades y características del componente, junto con su cumplimiento de los estándares y regulaciones de la industria.

Ciclo de VidaPremium
UE RoHS Unknown
Versión RoHS2002/95/EC
EAR99
Automotriz Unknown
Código CAGE del ProveedorS4140
SCHEDULE B8541210080
Calificado por AEC Unknown
Ruta de la taxonomía
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT

Fabricación

La información de fabricación especifica los requisitos técnicos y las especificaciones para producir y ensamblar el componente. Esta información es crucial para que los fabricantes mantengan la calidad y confiabilidad de los componentes y se aseguren de que sean compatibles con otros dispositivos y componentes.

Paramétrico

La información paramétrica muestra características vitales y métricas de rendimiento del componente, lo que ayuda a los ingenieros y gerentes de la cadena de suministro a comparar y elegir el componente electrónico más adecuado para sus aplicaciones y necesidades.

línea de producto
Maximum Offset Voltage
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Typical Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Process Technology
Maximum Diode Forward Voltage
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Output Power
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Maximum Turn-On Time
Maximum Storage Time
Maximum Fall Time
Maximum Turn-Off Time
Maximum Noise Figure
Maximum Delay Time
Maximum Rise Time
Tipo
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Material
Minimum DC Current Gain
Maximum Transition Frequency
Categoría
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Diseños de referencia

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MOSFET Power Driver for Industrial
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