MTA4ATF51264HZ-2G6E1
Micron TechnologyBeschreibung: | DRAM Module DDR4 SDRAM 4Gbyte 260SODIMM Tray |
Herkunftsland: | China |
Einführungsdatum: | Dec 28, 2015 |
Aktualisiert:+90 Tage | |
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Online-Version:https://www.datasheets.com/de/part-details/mta4atf51264hz-2g6e1-micron-technology-404126267
Überblick
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Datenblatt
Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.
Parametrisch
Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.