MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Micron TechnologyBeschreibung: | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
Herkunftsland: | China |
Einführungsdatum: | Dec 16, 2020 |
Aktualisiert:09-OCT-2024 | |
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Online-Version:https://www.datasheets.com/de/part-details/mt53e512m32d1zw-046-it-b-micron-technology-1845249514
Überblick
Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.
LebenszyklusPremium
EU-RoHS Yes
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
Kategoriepfad
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Parametrisch
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productlijn
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Typ
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits
