MT53E512M32D1NP-046 WT:B

MT53E512M32D1NP-046 WT:B

Micron Technology

Beschreibung:

LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DRAM Chip

Herkunftsland:

China

Einführungsdatum:

Nov 29, 2022

Aktualisiert:13-NOV-2024

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHSYes with Exemption
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
Kategoriepfad
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip

Datenblatt

Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.

Vorschau des Datenblatts

(Latest Version)

Parametrisch

Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.

productlijn
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Typ
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits

Überschneidungen

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