Datasheets
MJE3055T

MJE3055T

ASI Semiconductor, Inc

Beschreibung:

General Purpose And Switching Bjt Transistor

Herkunftsland:

United States of America

Aktualisiert:16-DEC-2024

Mehr anzeigen GP BJT von ASI Semiconductor, Inc
Teilespezifikationen

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHS Unknown
RoHS-Version2011/65/EU
Automobil Unknown
Lieferanten-Cage-Code4U751
AEC-qualifiziert Unknown
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT

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