MJD122G

MJD122G

onsemi

Beschreibung:

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Herkunftsland:

China

Einführungsdatum:

Aug 31, 1995

Aktualisiert:10-DEC-2024

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHSYes with Exemption
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automobil No
Lieferanten-Cage-Code1MQ07
8541290095
SCHEDULEB8541290080
PPAP No
AEC-qualifiziert No
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Darlington BJT

Datenblatt

Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.

Vorschau des Datenblatts

(Latest Version)

Herstellung

Die Herstellungsinformationen legen die technischen Anforderungen und Spezifikationen für die Produktion und Montage des Bauteils fest. Diese Informationen sind für Hersteller entscheidend, um die Qualität und Zuverlässigkeit der Komponenten zu gewährleisten und sicherzustellen, dass sie mit anderen Geräten und Komponenten kompatibel sind.

Reflow Temp. Source

Parametrisch

Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.

productlijn
Minimum Storage Temperature
Output Clamp Diode
Maximum Clamp Diode Leakage Current
Maximum Clamp Diode Forward Voltage
Maximum Collector-Emitter Cut-Off Current
Maximum Input Current
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Supplier Temperature Grade
Typical Current Gain Bandwidth
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum DC Current Gain
Typical Transition Frequency
Process Technology
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Maximum Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Maximum Diode Forward Voltage
Typ
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

CAD-Modelle

Zugriff auf 3D CAD-Modelle, Symbole und Footprints der Komponente. Visualisieren Sie ihre Struktur und Dimensionen, integrieren Sie Designs und optimieren Sie die Leistung mühelos.

Überschneidungen

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