JANSR2N2222A
Semicoa SemiconductorsBeschreibung: | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
Herkunftsland: | United States of America |
Einführungsdatum: | May 17, 2016 |
Aktualisiert:23-OCT-2024 | |
Mehr anzeigen GP BJT von Semicoa Semiconductors |
Online-Version:https://www.datasheets.com/de/part-details/jansr2n2222a-semicoa-semiconductors-87167464
Überblick
Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.
LebenszyklusPremium
EU-RoHS No
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Datenblatt
Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.