IXGM30N60
LittelfuseBeschreibung: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200W |
Einführungsdatum: | Mar 1, 1996 |
Aktualisiert:+90 Tage | |
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Online-Version:https://www.datasheets.com/de/part-details/ixgm30n60-littelfuse-62769221
Überblick
Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.
LebenszyklusPremium
EU-RoHS Yes
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip
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Parametrisch
Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.
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productlijn
Maximum Transition Frequency
Number of Elements per Chip
Maximum Junction Temperature
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Maximum Storage Temperature
Maximum Gate Emitter Leakage Current
Tradename
Process Technology
Minimum Transition Frequency
Typical Transition Frequency
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Power Dissipation
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature