DTC114ECA-TP

Beschreibung:

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

Herkunftsland:

China

Einführungsdatum:

Mar 29, 2005

Aktualisiert:27-OCT-2024

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHS Yes
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased

Datenblatt

Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.

Vorschau des Datenblatts

(Latest Version)

Herstellung

Die Herstellungsinformationen legen die technischen Anforderungen und Spezifikationen für die Produktion und Montage des Bauteils fest. Diese Informationen sind für Hersteller entscheidend, um die Qualität und Zuverlässigkeit der Komponenten zu gewährleisten und sicherzustellen, dass sie mit anderen Geräten und Komponenten kompatibel sind.

Parametrisch

Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.

productlijn
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Maximum Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Number of Elements per Chip
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Typical Base Emitter Resistor
Typical Current Gain Bandwidth
Operating Junction Temperature
Typ
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Typical Input Resistor
Typical Resistor Ratio
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Überschneidungen

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