D44H7
Mospec SemiconductorBeschreibung: | Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Herkunftsland: | Taiwan (Province of China) |
Einführungsdatum: | Nov 16, 2000 |
Aktualisiert:03-DEC-2024 | |
Mehr anzeigen GP BJT von Mospec Semiconductor | |
Online-Version:https://www.datasheets.com/de/part-details/d44h7-mospec-semiconductor-18196898
Überblick
Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Datenblatt
Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.
Vorschau des Datenblatts
(Latest Version)Herstellung
Die Herstellungsinformationen legen die technischen Anforderungen und Spezifikationen für die Produktion und Montage des Bauteils fest. Diese Informationen sind für Hersteller entscheidend, um die Qualität und Zuverlässigkeit der Komponenten zu gewährleisten und sicherzustellen, dass sie mit anderen Geräten und Komponenten kompatibel sind.