BQ4013MS-120

BQ4013MS-120

Texas Instruments

Beschreibung:

NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module

Einführungsdatum:

Sep 1, 1996

Aktualisiert:11-DEC-2024

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHS No
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automobil No
Lieferanten-Cage-Code01295
8542320041
SCHEDULEB8542320040
PPAP No
AEC-qualifiziert No
Kategoriepfad
Semiconductor > Memory > Memory Chips > NVRAM

Datenblatt

Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.

Vorschau des Datenblatts

(Latest Version)

Herstellung

Die Herstellungsinformationen legen die technischen Anforderungen und Spezifikationen für die Produktion und Montage des Bauteils fest. Diese Informationen sind für Hersteller entscheidend, um die Qualität und Zuverlässigkeit der Komponenten zu gewährleisten und sicherzustellen, dass sie mit anderen Geräten und Komponenten kompatibel sind.

Überschneidungen

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