AP4P012LEH
Advanced Power ElectronicsBeschreibung: | Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Power MOSFET |
Herkunftsland: | Taiwan (Province of China) |
Einführungsdatum: | Jan 18, 2017 |
Aktualisiert:+90 Tage | |
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Online-Version:https://www.datasheets.com/de/part-details/ap4p012leh-advanced-power-electronics-85261821
Überblick
Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
Datenblatt
Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.
Vorschau des Datenblatts
(Latest Version)Parametrisch
Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.