2SK30ATMO

2SK30ATMO

Toshiba

Beschreibung:

Trans JFET N-CH 1.4mA Si 3-Pin TO-92

Einführungsdatum:

Jun 5, 1997

Aktualisiert:+90 Tage

Mehr anzeigen JFETs von Toshiba

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHS No
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > JFETs

Datenblatt

Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.

Vorschau des Datenblatts

(Latest Version)

Herstellung

Die Herstellungsinformationen legen die technischen Anforderungen und Spezifikationen für die Produktion und Montage des Bauteils fest. Diese Informationen sind für Hersteller entscheidend, um die Qualität und Zuverlässigkeit der Komponenten zu gewährleisten und sicherzustellen, dass sie mit anderen Geräten und Komponenten kompatibel sind.

Wave Temp. Source

Parametrisch

Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.

productlijn
Maximum Duty Cycle
Breakdown Voltage Type
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Gate Threshold Voltage
Number of Elements per Chip
Typical Gate Threshold Voltage
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Pulsed Drain Current
Typical DC Current Gain
Maximum Junction Temperature
Typical Gate Charge
Supplier Temperature Grade
Minimum Drain Saturation Current
Process Technology
Maximum Transconductance
Minimum Transconductance
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance
Typical Drain Saturation Current
Maximum Storage Temperature
Typical Input Capacitance
Typical Reverse Transfer Capacitance
Maximum Drain Source Resistance
Maximum Gate Source Cut-Off Voltage
Maximum Drain Saturation Current
Maximum Gate Current
Maximum Rise Time
Maximum Fall Time
Maximum Turn-On Delay Time
Maximum Turn-Off Delay Time
Minimum Frequency
Typical Transconductance
Maximum Frequency
Maximum Noise Figure
Minimum Storage Temperature
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Maximum Drain Gate Voltage
Material
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Überschneidungen

Interessiert an weiteren kostenlosen Daten?

Entdecken Sie ein form-fit-function-Äquivalent eines anderen Herstellers oder sogar geeignete Upgrades und Downgrades und vieles mehr.

Premium abonnieren

Keine Kreditkarte. Keine Verpflichtungen.