Datasheets
2N7000

2N7000

Diotec Semiconductor AG
Beschreibung:

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo

Herkunftsland: China
Einführungsdatum:Feb 16, 2011

Aktualisiert: 29-DEC-2024

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CAD-Modelle
TeilespezifikationenPreis und Verfügbarkeit

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHS Yes
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automobil No
Lieferanten-Cage-CodeC6569
8541210095
SCHEDULEB8541210080
PPAP No
AEC-qualifiziert No
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

Datenblatt

Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.

Lieferantendatenblatt
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Parametrisch

Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.

productlijn
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
Kategorie
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

CAD-Modelle

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