2N5061

2N5061

onsemi

Beschreibung:

Thyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 Bulk

Einführungsdatum:

May 1, 2000

Aktualisiert:+90 Tage

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHSYes with Exemption
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Thyristors > Silicon Controlled Rectifiers - SCRs

Datenblatt

Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.

Vorschau des Datenblatts

(Latest Version)

Herstellung

Die Herstellungsinformationen legen die technischen Anforderungen und Spezifikationen für die Produktion und Montage des Bauteils fest. Diese Informationen sind für Hersteller entscheidend, um die Qualität und Zuverlässigkeit der Komponenten zu gewährleisten und sicherzustellen, dass sie mit anderen Geräten und Komponenten kompatibel sind.

Parametrisch

Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.

productlijn
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Temperature Flag
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Circuit Fusing Consideration
Maximum Latching Current
Supplier Temperature Grade
Phase Control
Process Technology
Repetitive Peak Reverse Voltage
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage
Rated Average On-State Current
RMS On-State Current
Surge Current Rating
Maximum Holding Current
Peak On-State Voltage
Repetitive Peak Off-State Current
Maximum Gate Trigger Current
Maximum Gate Trigger Voltage
Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage
Maximum Rate of Rise of On-State Current
Maximum Gate Peak Inverse Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Junction Temperature

Überschneidungen

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