Datasheets
2N3866JV

2N3866JV

Semicoa Semiconductors

Beschreibung:

RF Epitaxial Bipolar Transistor

Herkunftsland:

United States of America

Einführungsdatum:

Jun 22, 1999

Aktualisiert:29-OCT-2024

Mehr anzeigen RF BJT von Semicoa Semiconductors
Teilespezifikationen

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHS No
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT

Datenblatt

Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.

PDF herunterladen
(Latest Version)

Vorschau des Datenblatts

(Latest Version)

Parametrisch

Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.

productlijn
Maximum Turn-Off Time
Maximum Rise Time
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum DC Collector Current Range
Collector Current for VCE Saturation
Typical Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Process Technology
Maximum Collector-Emitter Voltage Range
Maximum Collector Cut-Off Current
Typical Collector Efficiency
Tradename
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typ
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Minimum DC Current Gain
Minimum DC Current Gain Range
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Transition Frequency
Maximum Turn-On Time
Maximum Noise Figure
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Output Power
Maximum Power 1dB Compression
Operational Bias Conditions
Typical Power Gain
Maximum 3rd Order Intercept Point
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Material

Überschneidungen

Interessiert an weiteren kostenlosen Daten?

Entdecken Sie ein form-fit-function-Äquivalent eines anderen Herstellers oder sogar geeignete Upgrades und Downgrades und vieles mehr.

Premium abonnieren

Keine Kreditkarte. Keine Verpflichtungen.