R1LV0408DSB-5SI
Renesas Electronics描述: | SRAM Chip Async Single 3V 4M-bit 512K x 8 55ns 32-Pin TSOP-II |
推出日期: | May 22, 2007 |
更新:22-NOV-2024 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/r1lv0408dsb-5si-renesas-electronics-31624449
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
欧盟RoHS Yes
RoHS版本2011/65/EU, 2015/863
3A991.b.2.a
汽车 No
供应商CAGE代码JA033
8542320041
日程B8542320040
PPAP No
AEC认证 No
类别路径
Semiconductor > Memory > Memory Chips > SRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > SRAM Chip
技术资料
通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。
数据表预览
(Latest 版本)制造
制造信息指定了生产和组装该组件的技术要求和规格。这些信息对于制造商来说至关重要，以保持组件的质量和可靠性，并确保其与其他设备和组件兼容。
参数
参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标，这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。
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生产线
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Read Latency
Burst Length
Function
Process Technology
Maximum Cycle Time
I/O Mode
Number of I/O Lines
Maximum Storage Temperature
Density
Timing Type
Architecture
Data Rate Architecture
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Ports
Number of Words
Number of Bits per Word
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Current
Address Bus Width
Density in Bits
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
参考设计
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