80-M112PMA010M7-K209A70
Vincotech描述: | 1200 V / 10 A IGBT Module Transistor |
产地: | Hungary |
推出日期: | Oct 31, 2017 |
更新:21-NOV-2024 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/80-m112pma010m7-k209a70-vincotech-408968515
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
欧盟RoHS Yes
RoHS版本2011/65/EU, 2015/863
类别路径
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
技术资料
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数据表预览
(Latest 版本)参数
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生产线
Maximum Junction Temperature
Process Technology
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Maximum Storage Temperature
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Leakage Current
Tradename
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
