SSM3K62TU

คำอธิบาย:	Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin UFM
ประเทศกำเนิด:	Thailand
วันที่เริ่มต้น:	Sep 22, 2016
อัปเดตแล้ว:10-DEC-2024
ดูเพิ่มเติม MOSFETs โดย Toshiba

โมเดล CAD การออกแบบอ้างอิง

ข้อกำหนดของชิ้นส่วน

ภาพรวม

ทำความรู้จักกับข้อมูลทั่วไปพื้นฐาน คุณสมบัติ และลักษณะพื้นฐานขององค์ประกอบ รวมถึงความปฏิบัติตามมาตรฐานและกฎระเบียบของอุตสาหกรรม

วงจรชีวิตพรีเมี่ยม

EU RoHS Yes

เวอร์ชัน RoHS2011/65/EU, 2015/863

EAR99

ยานยนต์ Unknown

รหัสกรงซัพพลายเออร์J2925

8541290095

ตาราง B8541290080

ได้รับการรับรองจาก AEC Unknown

เส้นทางหมวดหมู่
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

แผ่นข้อมูล

เข้าใจองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์อย่างเข้าใจทั่วถึงโดยดาวน์โหลดใบข้อมูลของมัน ไฟล์เอกสาร PDF นี้ประกอบด้วยรายละเอียดที่จำเป็นทั้งหมด เช่นภาพรวมผลิตภัณฑ์ คุณสมบัติ ข้อมูลจำเพาะ เกรด แผนภูมิ แอปพลิเคชัน และอื่น ๆ

ดาวน์โหลด PDF
(Latest เวอร์ชัน)

ดูตัวอย่างแผ่นข้อมูล

(Latest เวอร์ชัน)

พารามิเตอร์

ข้อมูลพารามิเตอร์แสดงคุณสมบัติที่สำคัญและเมตริกการทำงานขององค์ประกอบ ซึ่งช่วยให้วิศวกรและผู้จัดการโซ่อุปทานเปรียบเทียบและเลือกองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่เหมาะสมที่สุดสำหรับแอปพลิเคชันและความต้องการของพวกเขา

คุณต้องเข้าสู่ระบบเพื่อดูข้อมูลที่ถูกจำกัด

คลิกที่นี่เพื่อเข้าสู่ระบบ

สายผลิตภัณฑ์

Breakdown Voltage Type

Minimum DC Current Gain

Typical Switch Charge

Typical Gate Resistance

Typical Reverse Recovery Charge

Typical Forward Transconductance

Tradename

Minimum Gate Threshold Voltage

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds

Maximum Offset Voltage

Maximum Positive Gate Source Voltage

Minimum Gate Resistance

Maximum Gate Resistance

Typical Gate Threshold Voltage

Typical Diode Forward Voltage

Maximum Diode Forward Voltage

Typical Reverse Recovery Time

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C

Maximum Forward Transconductance

Minimum Forward Transconductance

Minimum IDSS

ID For GFS

VDS For GFS

Maximum Input Capacitance @ Vds

Typical IDSS

Maximum Storage Temperature

Operating Junction Temperature

Maximum Gate Source Leakage Current

Minimum Storage Temperature

Typical Gate to Drain Charge

Typical Gate to Source Charge

Maximum Junction Ambient Thermal Resistance

Maximum Junction Case Thermal Resistance

Typical Fall Time

Typical Rise Time

Typical Turn-Off Delay Time

Supplier Temperature Grade

Typical Turn-On Delay Time

Configuration

Maximum Absolute Continuous Drain Current

หมวดหมู่

Channel Mode

Channel Type

Number of Elements per Chip

Process Technology

Maximum Drain Source Voltage

Maximum Gate Source Voltage

Maximum Continuous Drain Current

Material

Maximum Gate Threshold Voltage

Maximum Drain Source Resistance

Maximum IDSS

Typical Gate Charge @ Vgs

Typical Gate Charge @ 10V

Typical Input Capacitance @ Vds

Maximum Power Dissipation

Minimum Operating Temperature

Maximum Operating Temperature

Typical Output Capacitance

การออกแบบอ้างอิง

ปลดล็อกความคิดและคำแนะนำด้วยชุดอ้างอิงของเรา เรียกดูการนำไปใช้งานที่เป็นปฏิสัมพันธ์ที่แสดงให้เห็นถึงความสามารถของส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ส่งเสริมกระบวนการพัฒนาและสร้างสรรค์ทางเลือกที่มีประสิทธิภาพด้วยเอกสารและแผนภาพอย่างละเอียด