Datasheets
IRF7380TRPbF-1

IRF7380TRPbF-1

Infineon Technologies AG

คำอธิบาย:

Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R

ประเทศกำเนิด:

United States of America

วันที่เริ่มต้น:

Nov 18, 2013

อัปเดตแล้ว:22-NOV-2024

ดูเพิ่มเติม MOSFETs โดย Infineon Technologies AG
การออกแบบอ้างอิง
ข้อกำหนดของชิ้นส่วน

ภาพรวม

ทำความรู้จักกับข้อมูลทั่วไปพื้นฐาน คุณสมบัติ และลักษณะพื้นฐานขององค์ประกอบ รวมถึงความปฏิบัติตามมาตรฐานและกฎระเบียบของอุตสาหกรรม

วงจรชีวิตพรีเมี่ยม
EU RoHS Yes
เวอร์ชัน RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
ยานยนต์ No
รหัสกรงซัพพลายเออร์C6489
8541290095
ตาราง B8541290080
PPAP No
ได้รับการรับรองจาก AEC No
เส้นทางหมวดหมู่
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

แผ่นข้อมูล

เข้าใจองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์อย่างเข้าใจทั่วถึงโดยดาวน์โหลดใบข้อมูลของมัน ไฟล์เอกสาร PDF นี้ประกอบด้วยรายละเอียดที่จำเป็นทั้งหมด เช่นภาพรวมผลิตภัณฑ์ คุณสมบัติ ข้อมูลจำเพาะ เกรด แผนภูมิ แอปพลิเคชัน และอื่น ๆ

แผ่นข้อมูลซัพพลายเออร์
(ลิงก์ภายนอก)
ดาวน์โหลด PDF
(Latest เวอร์ชัน)

ดูตัวอย่างแผ่นข้อมูล

(Latest เวอร์ชัน)

การผลิต

ข้อมูลการผลิตระบุความต้องการทางเทคนิคและข้อกำหนดเฉพาะสำหรับการผลิตและประกอบองค์ประกอบ ข้อมูลนี้สำคัญสำหรับผู้ผลิตเพื่อรักษาคุณภาพและความเชื่อถือขององค์ประกอบ และให้มั่นใจว่าพวกเขาเข้ากันได้กับอุปกรณ์และองค์ประกอบอื่น ๆ

Reflow Temp. Source
Wave Temp. Source

พารามิเตอร์

ข้อมูลพารามิเตอร์แสดงคุณสมบัติที่สำคัญและเมตริกการทำงานขององค์ประกอบ ซึ่งช่วยให้วิศวกรและผู้จัดการโซ่อุปทานเปรียบเทียบและเลือกองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่เหมาะสมที่สุดสำหรับแอปพลิเคชันและความต้องการของพวกเขา

สายผลิตภัณฑ์
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
หมวดหมู่
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

การออกแบบอ้างอิง

ปลดล็อกความคิดและคำแนะนำด้วยชุดอ้างอิงของเรา เรียกดูการนำไปใช้งานที่เป็นปฏิสัมพันธ์ที่แสดงให้เห็นถึงความสามารถของส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ส่งเสริมกระบวนการพัฒนาและสร้างสรรค์ทางเลือกที่มีประสิทธิภาพด้วยเอกสารและแผนภาพอย่างละเอียด

IRAUDAMP6, Two-channel 250 W (8 Ohms) Half-bridge Class-D Audio Power Amplifier Using the IRS20957S and IRF6785
IRAUDAMP6, Two-channel 250 W (8 Ohms) Half-bridge Class-D Audio Power Amplifier Using the IRS20957S and IRF6785

ครอส

สนใจข้อมูลฟรีเพิ่มเติมหรือไม่?

ค้นพบความเทียมรูปแบบของผู้ผลิตอื่นหรืออัพเกรดและดาวน์เกรดที่เหมาะสม และอื่นๆ อีกมากมาย

อัพเกรดเป็นพรีเมียม

ไม่ต้องใช้บัตรเครดิต ไม่มีการสัญญา