K4B4G1646B-HYK0
Samsung ElectronicsОписание: | DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 79-Pin FBGA |
Страна происхождения: | Korea (Republic of) |
Дата ввода в эксплуатацию: | Dec 17, 2009 |
Обновлено:+90 дней | |
Показать больше DRAM Chip от Samsung Electronics | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/k4b4g1646b-hyk0-samsung-electronics-73793109
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.
Предварительный просмотр справочника
(Latest Версия)Параметры
Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.
Вы должны войти в систему, чтобы просмотреть ограниченную информацию.
Справочные проекты
Откройте для себя исpiration и руководство с нашей коллекцией ссылок на проекты. Исследуйте практические реализации, демонстрирующие возможности электронного компонента. Ускорьте процесс разработки и создавайте эффективные решения с подробной документацией и схематиками.
