K4B1G1646G-BCH9000

K4B1G1646G-BCH9000

Samsung Electronics

Descrição:

DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin FBGA

Data de introdução:

Dec 2, 2010

Atualizado:+90 dias

Visão geral

Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.

Ciclo de VidaPremium
EU RoHS Yes
Versão RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automotivo No
Código CAGE do Fornecedor1542F
8542320032
SCHEDULE B8542320015
PPAP No
Qualificado AEC No
Caminho da Categoria
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip

Ficha técnica

Obtenha uma compreensão abrangente do componente eletrônico baixando sua folha de dados. Este documento em PDF inclui todos os detalhes necessários, como visão geral do produto, características, especificações, classificações, diagramas, aplicações e muito mais.

Pré-visualização da folha de dados

(Latest Versão)

Pacote

As informações de embalagem do componente fornecem detalhes importantes sobre o tamanho, peso e embalagem do produto. Isso ajuda os engenheiros a determinar se o produto atende às suas necessidades e expectativas.

Package Family Name
Supplier Package
Pin Count
PCB
Package Diameter (mm)
Package Weight (g)
Mounting
Package Outline

Fabricação

As informações de fabricação especificam os requisitos técnicos e as especificações para a produção e montagem do componente. Essas informações são cruciais para os fabricantes manterem a qualidade e confiabilidade dos componentes e garantirem que sejam compatíveis com outros dispositivos e componentes.

Reflow Temp. Source
Wave Temp. Source

Paramétrico

As informações paramétricas exibem características vitais e métricas de desempenho do componente, o que ajuda os engenheiros e gerentes da cadeia de suprimentos a comparar e escolher o componente eletrônico mais adequado para suas aplicações e necessidades.

linha de produto
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Tipo
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits

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