SSM6K513NU,LF(T

SSM6K513NU,LF(T

Toshiba

Descrição:

Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R

País de origem:

Thailand

Data de introdução:

Jun 2, 2016

Atualizado:27-SEP-2024

Visão geral

Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.

Ciclo de VidaPremium
EU RoHS Yes
Versão RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automotivo Yes
Código CAGE do FornecedorJ2925
8541290095
SCHEDULE B8541290080
Qualificado AEC Yes
Caminho da Categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

Ficha técnica

Obtenha uma compreensão abrangente do componente eletrônico baixando sua folha de dados. Este documento em PDF inclui todos os detalhes necessários, como visão geral do produto, características, especificações, classificações, diagramas, aplicações e muito mais.

Pré-visualização da folha de dados

(Latest Versão)

Pacote

As informações de embalagem do componente fornecem detalhes importantes sobre o tamanho, peso e embalagem do produto. Isso ajuda os engenheiros a determinar se o produto atende às suas necessidades e expectativas.

Supplier Package
Pin Count
PCB
Package Diameter (mm)
Package Weight (g)
Mounting
Package Outline

Paramétrico

As informações paramétricas exibem características vitais e métricas de desempenho do componente, o que ajuda os engenheiros e gerentes da cadeia de suprimentos a comparar e escolher o componente eletrônico mais adequado para suas aplicações e necessidades.

linha de produto
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
Categoria
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

Projetos de referência

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