Datasheets
RF3L05150CB4

RF3L05150CB4

STMicroelectronics

Opis:

Trans RF MOSFET 90V 2.5A 5-Pin LBB T/R

Data wprowadzenia:

Nov 12, 2020

Zaktualizowano:14-DEC-2024

Zobacz więcej RF FETs przez STMicroelectronics
Specyfikacje częściCena i dostępność

Przegląd

Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.

Cykl życiaPremium
EU RoHS Yes
Wersja RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Motoryzacja No
Kod Dostawcy CAGESCR76
PPAP No
Kwalifikowany przez AEC No
Ścieżka kategorii
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs

Arkusz danych

Zdobądź kompleksową wiedzę na temat komponentu elektronicznego, pobierając jego karcie katalogowej. Ten dokument PDF zawiera wszystkie niezbędne szczegóły, takie jak przegląd produktu, cechy, specyfikacje, oceny, diagramy, zastosowania i wiele więcej.

Arkusz danych dostawcy
(Zewnętrzny link)
Pobierz PDF
(Latest Wersja)

Podgląd karty katalogowej

(Latest Wersja)

Parametryczny

Informacje parametryczne wyświetlają istotne cechy i wskaźniki wydajności komponentu, co pomaga inżynierom i menadżerom łańcucha dostaw porównać i wybrać najbardziej odpowiedni komponent elektroniczny do swoich aplikacji i potrzeb.

linia produkcyjna
Supplier Temperature Grade
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Typical Gate Threshold Voltage
Breakdown Voltage Type
Minimum Gate Threshold Voltage
Typ
Typical Power 1dB Compression
Material
Typical Forward Transconductance
Typical Output Capacitance @ Vds
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Types of Output Stages
Typical Power Gain @ Vds
Maximum VSWR
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Process Technology
Maximum Gate Source Leakage Current
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Duty Cycle
Typical Turn-On Delay Time
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Drain Efficiency
Maximum Noise Figure
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Channel Type
Configuration
Channel Mode
Number of Elements per Chip
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Minimum Frequency
Maximum Frequency
Maximum Power Dissipation
Mode of Operation
Typical Power Gain
Output Power
Maximum IDSS
Typical Input Capacitance @ Vds
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Zamienniki

Zainteresowany(a) większą ilością darmowych danych?

Odkryj odpowiednik pod względem formy, dopasowania i funkcji od innego producenta, a nawet odpowiednie aktualizacje i obniżki, oraz wiele więcej.

Przejdź na Premium

Brak karty kredytowej. Brak zobowiązań.