| Описание: | RF 16 GHZ HIGH POWER GAAS FET |
| Дата ввода в эксплуатацию: | Sep 16, 1999 |
Обновлено: 27-NOV-2024 | |
Показать больше RF FETs от MicroWave Technology, Inc | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/mwt-8-microwave-technology--inc-34588392
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Жизненный циклПремиум
EU RoHS Да
Версия RoHS2011/65/EU, 2015/863
Автомобильная промышленность Нет
Код поставщика CAGE6Y341
PPAP Нет
Сертифицировано AEC Нет
Путь категории
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.