MwT-A970
MicroWave Technology, Inc설명: | Trans FET GaAs MESFET |
출시일: | Sep 16, 1999 |
업데이트됨:11-DEC-2024 | |
온라인 버전:https://www.datasheets.com/ko/part-details/mwt-a970-microwave-technology--inc-34588656
개요
컴포넌트의 기본 일반 정보, 특성 및 특징에 익숙해지세요. 또한 해당 컴포넌트가 산업 기준과 규정을 준수하는지 확인하세요.
수명 주기프리미엄
EU RoHS Yes
RoHS 버전2011/65/EU, 2015/863
자동차 No
공급업체 CAGE 코드6Y341
PPAP No
AEC 인증 No
카테고리 경로
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs
데이터시트
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(Latest 버전)파라미터
파라미터 정보는 컴포넌트의 중요한 특징과 성능 지표를 표시합니다. 이는 엔지니어 및 공급망 관리자들이 자신들의 애플리케이션과 요구 사항에 가장 적합한 전자 부품을 비교하고 선택하는 데 도움을 줍니다.
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제품 계열
Supplier Temperature Grade
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Typical Gate Threshold Voltage
Breakdown Voltage Type
Minimum Gate Threshold Voltage
유형
Typical Power 1dB Compression
Material
Typical Forward Transconductance
Typical Output Capacitance @ Vds
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Types of Output Stages
Typical Power Gain @ Vds
Maximum VSWR
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Process Technology
Maximum Gate Source Leakage Current
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Duty Cycle
Typical Turn-On Delay Time
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Drain Efficiency
Maximum Noise Figure
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Channel Type
Configuration
Channel Mode
Number of Elements per Chip
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Minimum Frequency
Maximum Frequency
Maximum Power Dissipation
Mode of Operation
Typical Power Gain
Output Power
Maximum IDSS
Typical Input Capacitance @ Vds
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
