SSM6K513NU,LF(T

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Toshiba

説明:

Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R

原産国:

Thailand

導入日:

Jun 2, 2016

更新済み:27-SEP-2024

もっと見る MOSFETs 著者 Toshiba

概要

コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。

ライフサイクルプレミアム
EU RoHS Yes
RoHSバージョン2011/65/EU, 2015/863
EAR99
自動車 Yes
供給者CAGEコードJ2925
8541290095
スケジュールB8541290080
AEC認定 Yes
カテゴリーパス
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

データシート

データシートをダウンロードすることで、電子部品の包括的な理解を得ることができます。このPDFドキュメントには、製品の概要、特徴、仕様、評価、ダイアグラム、応用例など、必要なすべての詳細が含まれています。

データシートのプレビュー

(Latest バージョン)

パッケージ

コンポーネントのパッケージ情報には、製品のサイズ、重量、包装に関する重要な詳細が記載されています。これにより、エンジニアは製品が要件や期待に合致しているかどうかを判断することができます。

Supplier Package
Pin Count
PCB
Package Diameter (mm)
Package Weight (g)
Mounting
Package Outline

パラメーター

パラメトリック情報には、部品の重要な特徴や性能指標が表示されます。これにより、エンジニアやサプライチェーンマネージャーは、自身のアプリケーションやニーズに最も適した電子部品を比較・選択することができます。

生産ライン
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
カテゴリー
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

参考設計

参考設計のコレクションでインスピレーションとガイダンスを引き出してください。電子部品の能力を示す実用的な実装を探索してください。詳細なドキュメンテーションと回路図で開発プロセスを加速し、効率的なソリューションを作成してください。

CAD モデル

コンポーネントの3D CADモデル、シンボル、およびフットプリントにアクセスしてください。その構造と寸法を視覚化し、デザインを統合し、パフォーマンスを効果的に最適化してください。

クロスリファレンス

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