AFM906NT1

Descrizione:

Trans RF MOSFET N-CH 30V 16-Pin DFN EP T/R

Data di introduzione:

Aug 11, 2016

Aggiornato:10-NOV-2024

Panoramica

Familiarizzati con le informazioni generali fondamentali, le proprietà e le caratteristiche del componente, insieme al suo rispetto degli standard e delle normative del settore.

Ciclo di vitaPremium
EU RoHS Yes
Versione RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automotive No
Codice CAGE FornitoreH2J65
8542330001
SCHEDULE B8542330000
PPAP No
Qualificato AEC No
Percorso categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs

Scheda tecnica

Ottieni una comprensione approfondita del componente elettronico scaricando il suo datasheet. Questo documento PDF include tutti i dettagli necessari, come una panoramica del prodotto, le caratteristiche, le specifiche, le valutazioni, i diagrammi, le applicazioni e altro ancora.

Anteprima scheda tecnica

(Latest Versione)

Pacchetto

Le informazioni sulla confezione del componente forniscono dettagli importanti sulle dimensioni, il peso e l'imballaggio del prodotto. Questo aiuta gli ingegneri a determinare se il prodotto soddisfa le loro esigenze e aspettative.

Supplier Package
Package Description
Pin Count
PCB
Package Diameter (mm)
Mounting
Package Outline

Parametrico

Le informazioni parametriche visualizzano le caratteristiche fondamentali e le metriche di prestazione del componente, il che aiuta gli ingegneri e i responsabili della catena di approvvigionamento a confrontare e scegliere il componente elettronico più appropriato per le loro applicazioni e necessità.

linea di prodotto
Supplier Temperature Grade
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Typical Gate Threshold Voltage
Breakdown Voltage Type
Minimum Gate Threshold Voltage
Tipo
Typical Power 1dB Compression
Material
Typical Forward Transconductance
Typical Output Capacitance @ Vds
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Types of Output Stages
Typical Power Gain @ Vds
Maximum VSWR
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Process Technology
Maximum Gate Source Leakage Current
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Duty Cycle
Typical Turn-On Delay Time
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Drain Efficiency
Maximum Noise Figure
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Channel Type
Configuration
Channel Mode
Number of Elements per Chip
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Minimum Frequency
Maximum Frequency
Maximum Power Dissipation
Mode of Operation
Typical Power Gain
Output Power
Maximum IDSS
Typical Input Capacitance @ Vds
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Corrispondenze

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