Datasheets
FDS6990AS-Q

FDS6990AS-Q

onsemi

Descrizione:

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R

Paese di origine:

China

Data di introduzione:

Mar 11, 2005

Aggiornato:15-NOV-2024

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Design di riferimento
Specifiche della Parte

Panoramica

Familiarizzati con le informazioni generali fondamentali, le proprietà e le caratteristiche del componente, insieme al suo rispetto degli standard e delle normative del settore.

Ciclo di vitaPremium
EU RoHS No
Versione RoHS2011/65/EU, 2015/863
Percorso categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

Scheda tecnica

Ottieni una comprensione approfondita del componente elettronico scaricando il suo datasheet. Questo documento PDF include tutti i dettagli necessari, come una panoramica del prodotto, le caratteristiche, le specifiche, le valutazioni, i diagrammi, le applicazioni e altro ancora.

Scheda dati del fornitore
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Parametrico

Le informazioni parametriche visualizzano le caratteristiche fondamentali e le metriche di prestazione del componente, il che aiuta gli ingegneri e i responsabili della catena di approvvigionamento a confrontare e scegliere il componente elettronico più appropriato per le loro applicazioni e necessità.

linea di prodotto
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
Categoria
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

Progetti di riferimento

Sblocca ispirazione e orientamento con la nostra collezione di progetti di riferimento. Esplora implementazioni pratiche che mettono in mostra le capacità del componente elettronico. Accelera il processo di sviluppo e crea soluzioni efficienti con documentazione dettagliata e schemi.

ADZS-BF537-EZLITE, ADSP-BF537 EZ-KIT Lite Evaluation System based on ADSP-BF53x Blackfin Digital Signal Processors (DSPs)
ADZS-BF537-EZLITE, ADSP-BF537 EZ-KIT Lite Evaluation System based on ADSP-BF53x Blackfin Digital Signal Processors (DSPs)

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