AFT27S006NT1

AFT27S006NT1

NXP Semiconductors

Beschreibung:

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R

Herkunftsland:

China

Einführungsdatum:

Sep 4, 2013

Aktualisiert:16-NOV-2024

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHSYes with Exemption
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs

Datenblatt

Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.

Vorschau des Datenblatts

(Latest Version)

Herstellung

Die Herstellungsinformationen legen die technischen Anforderungen und Spezifikationen für die Produktion und Montage des Bauteils fest. Diese Informationen sind für Hersteller entscheidend, um die Qualität und Zuverlässigkeit der Komponenten zu gewährleisten und sicherzustellen, dass sie mit anderen Geräten und Komponenten kompatibel sind.

Reflow Temp. Source

Parametrisch

Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.

productlijn
Supplier Temperature Grade
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Typical Gate Threshold Voltage
Breakdown Voltage Type
Minimum Gate Threshold Voltage
Typ
Typical Power 1dB Compression
Material
Typical Forward Transconductance
Typical Output Capacitance @ Vds
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Types of Output Stages
Typical Power Gain @ Vds
Maximum VSWR
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Process Technology
Maximum Gate Source Leakage Current
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Duty Cycle
Typical Turn-On Delay Time
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Drain Efficiency
Maximum Noise Figure
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Channel Type
Configuration
Channel Mode
Number of Elements per Chip
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Minimum Frequency
Maximum Frequency
Maximum Power Dissipation
Mode of Operation
Typical Power Gain
Output Power
Maximum IDSS
Typical Input Capacitance @ Vds
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Überschneidungen

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